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CSD23285F5 12V P 溝道 FemtoFET MOSFET

數(shù)據(jù):

描述

這款29mΩ,-12V P溝道FemtoFET?MOSFET技術(shù)經(jīng)過(guò)了設(shè)計(jì)和優(yōu)化,能夠以最大限度減小許多手持式和移動(dòng)類(lèi)應(yīng)用中的封裝尺寸。這項(xiàng)技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào)MOSFET的同時(shí)大幅減小封裝尺寸。










特性

  • 低導(dǎo)通電阻
  • 低Q g 和Q gd
  • 超小尺寸
    • 1.53mm x 0.77mm
    • 0.5mm焊盤(pán)間距
  • 薄型
    • 高度為0.35mm
  • 集成型靜電放電(ESD)保護(hù)二極管
    • 額定值> 4kV人體放電模式(HBM)
    • 額定值>
    • 符合RoHS環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)
    • small>所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
CSD23285F5
-12 ? ?
-6 ? ?
Single ? ?
35 ? ?
47 ? ?
80 ? ?
-31 ? ?
-3.3 ? ?
3.2 ? ?
0.48 ? ?
0.66 ? ?
-0.65 ? ?
LGA 0.8x1.5 ? ?

方框圖 (1)

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
元器件購(gòu)買(mǎi) CSD23285F5 相關(guān)庫(kù)存

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