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數(shù)據(jù)： CSD75208W1015 雙路 20V 共源 P 通道 NexFET功率金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表 (Rev. A)
此器件設(shè)計用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)提供最低的導通電阻和柵極電荷。導通電阻與小型低厚度封裝結(jié)合在一起，使得此器件成為電池供電運行空間受限應(yīng)用的理想選擇。
所有商標均為其各自所有者的財產(chǎn)。
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| ? |
| CSD75208W1015 |
|---|
| -20 ? ? |
| -6 ? ? |
| Dual Common Source ? ? |
| 108 ? ? |
| 150 ? ? |
| 285 ? ? |
| -22 ? ? |
| -1.6 ? ? |
| 1.9 ? ? |
| 0.23 ? ? |
| 0.48 ? ? |
| -0.8 ? ? |
| WLP 1.0x1.5 ? ? |
型號：CSD75208W1015T 封裝：DSBGA6
品牌：TI 描述：MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=-6V ID=1.6A RDS(ON)=68mΩ@4.5V DSBGA6
金額：￥7.20443
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