描述

LMG341xR070 GaN功率級集成了驅(qū)動器和保護功能，使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。 LMG341x相對于硅MOSFET的固有優(yōu)勢包括超低輸入和輸出電容，零反向恢復，可將開關(guān)損耗降低多達80％，以及低開關(guān)節(jié)點振鈴以降低EMI。這些優(yōu)勢可實現(xiàn)密集且高效的拓撲結(jié)構(gòu)，如圖騰柱PFC。

LMG341xR070通過集成一系列獨特功能簡化設(shè)計，最大限度地提高可靠性并優(yōu)化性能，為傳統(tǒng)共源共柵GaN和獨立GaN FET提供了智能替代方案。任何電源。集成門驅(qū)動器可實現(xiàn)100V /ns切換，并且零Vds振鈴，<100 ns電流限制可自我保護，防止意外射擊，過溫關(guān)閉可防止熱失控，系統(tǒng)接口信號提供自我監(jiān)控功能。

特性

• TI GaN工藝通過加速可靠性應用硬切換任務(wù)配置文件進行認證
• 實現(xiàn)高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計< ul>
• 在共源共柵或獨立GaN FET上具有出色的系統(tǒng)性能
• 低電感8mm x 8mm QFN封裝，易于設(shè)計和布局
• 可調(diào)節(jié)驅(qū)動強度，實現(xiàn)開關(guān)性能和EMIControl
• 數(shù)字故障狀態(tài)OutputSignal
• 僅+12 V未調(diào)節(jié)SupplyNeeded

集成門驅(qū)動器

• 零公共源電感
• 20 ns MHz操作的傳播延遲
• 可靠性的工藝調(diào)諧柵極偏置電壓
• 25至100V /ns用戶可調(diào)節(jié)斜率

強健保護

• 不需要外部保護組件
• 過度保護<100ns響應
• ＆gt ; 150V /ns漏電率抗擾度
• 瞬態(tài)過電壓免疫
• 過溫保護
• 所有SupplyRails上的UVLO保護

Device Options

:

• LMG3410R070

  : LatchedOvercurrent Protection

• LMG3411R070

  :Cycle-by-cycle Overcurrent Protection

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參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?GaN FET功率級

? Prop delay (ns) Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? LMG3411R070 LMG3410R050 LMG3410R070 20 ? ? 20 ? ? 20 ? ? Catalog ? ? Catalog ? ? Catalog ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? VQFN | 32 ? ? VQFN | 32 ? ? VQFN | 32 ? ? 32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32) ? ? 32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32) ? ? 32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32) ? ? 無樣片

方框圖

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  LMG3411R070 - 功能方框圖