這些N溝道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種高密度工藝專為最大限度地降低低柵極驅(qū)動(dòng)條件下的通態(tài)電阻而定制。 該器件特別為使用一個(gè)鋰或三個(gè)鎘或NMH電池的電池電路應(yīng)用設(shè)計(jì)。 該器件可作為一個(gè)轉(zhuǎn)換器使用，或在緊湊型便攜電子設(shè)備，例如無(wú)線電話和傳呼器的高效微型分立DC/DC轉(zhuǎn)換中使用。 該器件即使在柵極驅(qū)動(dòng)電壓低至2.5V時(shí)仍具有出色的通態(tài)電阻。

• ? 25 V，0.68 A 連續(xù)電流，2 A 峰值。
• R
• = 0.45 Ω @ V
• = 4.5 V
• R
• = 0.6 Ω @ V
• = 2.7 V
• ? 柵極驅(qū)動(dòng)電平要求極低，從而可在 3 V 電路中直接運(yùn)行。 V
• < 1.0 V。
• ? 柵-源齊納二極管增強(qiáng)耐靜電放電(ESD)能力。 >6kV人體模型。
• ? 緊湊型工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SOT-23 表面貼裝封裝。
• ? TN0200T 和 TN0201T 的備選方案。