FDP4D5N10C N通道屏蔽柵極PowerTrench
數(shù)據(jù)：
FDP4D5N10Cdatasheet.pdf
產(chǎn)品信息
這款N溝道MV MOSFET采用安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，采用屏蔽柵極技術(shù)。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地降低通態(tài)電阻，并通過同類最佳的軟體二極管保持卓越的開關(guān)性能。 最大RDS（on）=4.5mΩ，VGS = 10 V，ID = 128 A < / li> 用于極低RDS（on）的高性能溝槽技術(shù) 極低的反向恢復(fù)電荷，Qrr 低柵極電荷，QG = 48nC（典型值）< / li> 高功率和電流處理能力 100％UIL測(cè)試 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
