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      FDMC510P -20V P溝道PowerTrench? MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      產(chǎn)品信息

      此P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝已針對(duì)r
      、開(kāi)關(guān)性能和穩(wěn)固性進(jìn)行了優(yōu)化。
      • 最大值 R
      • = 8.0 mΩ（V
      • = -4.5 V, I
      • = -12 A
      • ）
      • 最大值 R
      • = 9.8 mΩ（V
      • = -2.5 V, I
      • = -10 A
      • ）
      • 最大值 R
      • = 13 mΩ（V
      • = -1.8 V, I
      • = -9.3 A
      • ）
      • 最大值 R
      • = 17 mΩ（V
      • = -1.5 V, I
      • = -8.3 A
      • ）
      • 高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的R
      • 高功率和高電流處理能力，采用廣泛使用的表面貼裝封裝
      • 100%經(jīng)過(guò)UIL測(cè)試
      • 終端無(wú)引線(xiàn)且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
      • HBM ESD能力等級(jí)> 2KV典型值

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1） 相關(guān)資料（8）
      元器件購(gòu)買(mǎi) FDMC510P 相關(guān)庫(kù)存

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