FGY100T65SCDT 場截止溝槽IGBT，短路額定IGBT，650 V，100 A.
數(shù)據(jù)：
FGY100T65SCDTdatasheet.pdf
產品信息
采用新型場截止IGBT技術，安森美半導體的新系列場截止第三代IGBT為太陽能，UPS，電機控制，ESS和HVAC應用提供最佳性能傳導和開關損耗是必不可少的。 最高結溫：TJ = 175°C 正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)運行 高電流能力 低飽和電壓：VCE（sat）= 1.5 V（典型值）@ IC = 100 A 高輸入阻抗 快速切換
短路額定值為5 us 擰緊參數(shù)分布 這些器件無鉛且符合RoHS標準
