這些N和P溝道2.5V額定MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大程度地降低導(dǎo)通阻抗并保持低柵極電荷以獲得卓越開關(guān)性能而定制的。 這些器件經(jīng)過專門設(shè)計，能在極小的空間內(nèi)實現(xiàn)優(yōu)異的功率耗散，非常適合那些不宜采用更大更昂貴的SO-8和TSSOP-8封裝的應(yīng)用。

• N溝道2.7A，20V。 R
• = 0.08Ω @ V
• = 4.5V，R
• = 0.12Ω @ V
• = 2.5V P溝道-1.6A，-20V。R
• = 0.17Ω @V
• = -4.5V，R
• = 0.25Ω @ V GS = -2.5V
• 開關(guān)速度快。
• 低柵極電荷。
• 高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的R
• 。
• SuperSOT? -6封裝： 小尺寸（比標(biāo)準(zhǔn)SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。