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FDC608PZ -20V P溝道2.5V PowerTrench?額定MOSFET

數(shù)據(jù):

產(chǎn)品信息

此P溝道2.5V額定MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn),這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持低柵極電荷以獲得卓越開關(guān)性能而定制的。 這些器件非常適合電池供電應(yīng)用: 負(fù)載開關(guān)和功率管理、電池電源電路和DC/DC轉(zhuǎn)換。
  • -5.8A, -20V, R
  • = 30mΩ @ V
  • = -4.5V R
  • = 43mΩ @ V
  • = -2.5V
  • 低柵極電荷
  • 高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的R
  • SuperSOT
  • ¨C6封裝: 小尺寸(比標(biāo)準(zhǔn) SO¨C8 小 72%);薄型(1 mm 厚)

技術(shù)文檔

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