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FCPF250N65S3R0L N溝道SuperFET?IIIMOSFET650 V,12 A,250mΩ,TO-220F

數(shù)據(jù):

產(chǎn)品信息

SuperFET
III MOSFET是安森美半導體全新的高壓超結(jié)(SJ)MOSFET系列,采用電荷平衡技術(shù),具有出色的低導通電阻和降低柵極電荷性能。這種先進技術(shù)專為最大限度地降低傳導損耗,提供卓越的開關性能和承受極高的dv / dt速率而量身定制。因此,SuperFET III MOSFET非常適用于各種小型化和高效率的電源系統(tǒng)。 優(yōu)化電容 700 V @ TJ = 150°C 低效輸出電容(典型值Coss(eff。)= 248 pF) 超低柵極電荷(典型值Qg = 24 nC) 典型值。 RDS(on)=210mΩ 100%雪崩測試 內(nèi)部柵極電阻:1.1ohm 符合RoHS標準

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1) 相關資料(8)
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