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      FCP190N65S3 N溝道SuperFET

      數(shù)據(jù)：

      產(chǎn)品信息

      SuperFET
      III MOSFET是安森美半導(dǎo)體的全新高壓超結(jié)（SJ）MOSFET系列，利用均衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進(jìn)技術(shù)專(zhuān)為最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，提供更高的開(kāi)關(guān)性能和更高的dv / dt速率而定制。因此，SuperFET III MOSFET非常適用于各種小型化和高效率的電力系統(tǒng)。 700 V @ TJ = 150 C 超低柵極電荷（典型值Qg = 33 nC） 低效輸出電容（典型值Coss（eff。）= 300 pF） 優(yōu)化電容 內(nèi)部柵極電阻：7.0歐姆 典型值。 R =159mΩ 100％雪崩測(cè)試 符合RoHS

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1） 相關(guān)資料（8）
      元器件購(gòu)買(mǎi) FCP190N65S3 相關(guān)庫(kù)存

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