CNY17F4M 6 引腳 DIP 高 BV
數(shù)據(jù)：
CNY17F4Mdatasheet.pdf
產(chǎn)品信息
CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管，與雙列直插封裝中的 NPN 光電晶體管耦合。
- 高 BV
- ： 最小 70 V（CNY17XM、CNY17FXM、MOC8106M）
- 嚴(yán)格匹配的電流傳輸比(CTR)
- 最大程度地減少單元間的差異
- 選擇組中的電流傳輸比
- 耦合電容非常低，且沒有芯片到引腳 6 的基極連接，實(shí)現(xiàn)最低的噪聲易感性（CNY17FXM、MOC8106M）
- 安全和法規(guī)認(rèn)證：
- UL1577，4170 VAC
- （1 分鐘）
- DIN-EN/IEC60747-5-5，850 V 峰值工作絕緣電壓
