MC10E1652比較器采用安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的MOSAIC III工藝制造，輸出兼容10H邏輯器件。此外，該器件還提供16引腳DIP和20引腳表面貼裝封裝。但是，MC10E1652提供用戶可編程的遲滯。
鎖存使能（LENabar和LENbbar）輸入引腳采用標(biāo)準(zhǔn)ECL 10H邏輯電平工作。當(dāng)鎖存使能處于邏輯高電平時(shí)，MC10E1652充當(dāng)比較器;因此，如果V1> V2（V1比V2更正），Q將處于邏輯高電平。 Qbar是Q的補(bǔ)充。當(dāng)鎖存使能輸入變?yōu)榈瓦壿嬰娖綍r(shí)，輸出被鎖存在其當(dāng)前狀態(tài)，從而提供鎖存使能設(shè)置和保持時(shí)間約束。通過(guò)向HYS引腳施加偏置電壓來(lái)控制輸入滯后電平。
100系列包含溫度補(bǔ)償。 典型3.0 dB帶寬> 1.0 GHz 典型V至Q傳播延遲775 ps 典型輸出上升/下降350 ps 共模范圍-2.0 V至+3.0 V 啟用單個(gè)鎖存器 差分輸出 工作模式： V = 5.0 V，V = -5.2 V 可編程輸入遲滯 無(wú)內(nèi)部輸入下拉電阻 ESD保護(hù)：> 2 KV HBM，> 100 V MM 符合或超過(guò)JEDEC規(guī)范EIA / JESD78 IC閂鎖測(cè)試 濕度敏感度等級(jí)1

有關(guān)其他信息，請(qǐng)參閱應(yīng)用說(shuō)明AND8003 / D

可燃性等級(jí)：UL-94代碼V-0 @ 1/8“，氧指數(shù)28至34 晶體管數(shù)= 85設(shè)備