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MC100EP196B 具有FTUNE的3.3 V ECL可編程延遲芯片

數(shù)據(jù):

MC100EP196B是一款可編程延遲芯片(PDC),主要用于時(shí)鐘偏移校正和時(shí)序調(diào)整。它提供差分NECL / PECL輸入轉(zhuǎn)換的可變延遲。它具有與EP195類(lèi)似的架構(gòu),并具有使用FTUNE引腳進(jìn)一步調(diào)節(jié)延遲的附加功能。 FTUNE輸入采用VCC至VEE的模擬電壓,將輸出延遲從0 ps微調(diào)至60 ps。延遲部分包括一個(gè)可編程的門(mén)和多路復(fù)用器矩陣,如邏輯圖所示,圖2. EP196B的延遲增量具有大約10 ps的數(shù)字可選分辨率和高達(dá)10.4 ns的凈范圍。所需的延遲由10個(gè)數(shù)據(jù)選擇輸入D(9:0)值選擇,并由LEN(引腳10)控制。 LEN上的低電平允許透明LOAD模式的實(shí)時(shí)延遲值為D(9:0)。 LEN上的低電平到高電平轉(zhuǎn)換將使LOCK和HOLD電流值對(duì)D(10:0)中的任何后續(xù)更改產(chǎn)生。與D0(LSB)到D9(MSB)相關(guān)的變化抽頭數(shù)的近似延遲值如表6和圖3所示。
特性
  • 最大輸入時(shí)鐘頻率> 1.2 GHz典型
  • 可編程范圍:0 ns至10 ns
  • 延遲范圍:2.2 ns至12.4 ns
  • 10 ps增量
  • 線性度最高40 ps
  • PECL模式工作范圍:VCC = 3.0 V至3.6 V,VEE = 0 V
  • NECL模式工作范圍:VCC = 0 V,VEE = 3.0 V至3.6 V
  • IN / INb輸入接受LVPECL,LVNECL,LVDS電平
  • 邏輯高電平ENb引腳會(huì)強(qiáng)制Q為邏輯低
  • D10:0可以選擇LVPECL,LVCMOS或LVTTL輸入put Levels
  • VBB輸出參考電壓
應(yīng)用
  • 自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1) 相關(guān)資料(16)
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