這種低閾值，增強(qiáng)型（常關(guān)）晶體管采用垂直DMOS結(jié)構(gòu)和經(jīng)過驗(yàn)證的硅柵極制造工藝。這種組合產(chǎn)生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。該器件具有所有MOS結(jié)構(gòu)的特性，不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于極低閾值電壓，高擊穿電壓，高輸入阻抗，低電壓的各種開關(guān)和放大應(yīng)用需要輸入電容和快速切換速度。

低閾值（最高-2.0V）

高阻抗

低輸入電容

快速切換速度

低導(dǎo)通電阻

免于中學(xué)故障

低輸入和輸出泄漏