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按產(chǎn)品類型
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FDP5N60NZ

制造商:ON Semiconductor

描述:Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM II, 600V, 4A, 2Ω, TO-220

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Farnell
    Farnell

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    5 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    4.5 A
  • 輸入偏置電容@25V
    450 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    1.65 Ω
  • 漏源電壓
    600 V
  • 漏源極擊穿電壓
    600 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,2.25A
    1.65 Ω
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    2 Ω
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    5 V
  • 柵極電荷@10V
    10 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    15 ns
  • 反向傳輸電容@25V
    5 pF
  • 功率耗散
    100 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    35 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    20 ns
  • 上升時間
    20 ns

Physical

  • 配置
    Single
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    50
  • 制造商封裝
    TO-220

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • RoHS
    Yes

Dimension

  • 高度
    16.3 mm
  • 長度
    10.67 mm
  • 寬度
    4.7 mm
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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