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FGP10N60UNDF

制造商:ON Semiconductor

描述:IGBT NPT 600V 20A TO220-3

Datasheet:

在線詢價
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    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    20 A
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓
    2.3 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    600 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    600 V
  • 配置
    Single
  • 柵極電荷
    37 nC
  • 晶體管類型
    NPT
  • 接通延遲時間
    8.1 ns
  • 反向恢復(fù)時間
    37.7 ns
  • 功率耗散
    139 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    55 ns

Physical

  • 重量
    0.063493 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    50
  • 制造商封裝
    TO-220

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes

Dimension

  • 高度
    16.51 mm
  • 長度
    10.67 mm
  • 寬度
    4.83 mm
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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