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STB60NF06T4

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

Datasheet：

在線詢價
  • Future
    Future
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    60 A
  • 額定電壓
    60 V
  • 閾值電壓
    3 V
  • 閘/源截止電壓
    3 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    60 A
  • 輸入偏置電容@25V
    1.81 nF
  • 類型
    N溝道
  • 等級
    Automotive
  • 漏源電阻
    15 mΩ
  • 漏源電壓
    60 V
  • 漏源極擊穿電壓
    60 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,30A
    16 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    16 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    66 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    16 ns
  • 導(dǎo)通電阻
    16 mΩ
  • 功率耗散
    110 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    43 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    20 ns
  • 上升時間
    108 ns

Physical

  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 焊端樣式
    SMD
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -65 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    D2PAK(TO-263)

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC
庫存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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