日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

國芯思辰|安森德MOS管ASDM60R017NQ(替代永源微AP65N06NF)用于戶外電源系統(tǒng)

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2022-07-08 15:36 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

戶外電源通常具備快充輸出口,能夠給手機、平板電腦等移動設備快速充電,而DFN封裝的MOS管因體積小、散熱好,通常用于快充電源后級做輸出同步整流。

國芯思辰在近期接觸的一戶外電源應用項目上,了解到對方之前有用永源微MOS管AP65N06NF,目前需要找替代方案。

本文主要提到國產(chǎn)安森德MOS管ASDM60R017NQ,該芯片可pin to pin替換永源微AP65N06NF參數(shù)更有優(yōu)勢:

1、在VDS耐壓方面,ASDM60R017NQ和AP65N06NF均為60V,戶外電源的快充輸出口通常具備12V輸出電壓口,故兩者均具備較高的電壓余量;

2、在連續(xù)漏極工作電流ID方面,常溫下,在相同功率時,ASDM60R017NQ的電流可達100A,相對于AP65N06NF的余量更大,更可靠安全使用;

3、在脈沖漏極電流IDM(pluse)方面,ASDM60R017NQ可達到400A的電流值,相對于AP65N06NF更高,故ASDM60R017NQ可抵抗更高浪涌電流沖擊;

4、在MOS管導通損耗方面,ASDM60R017NQ的導通電阻最大為2mΩ,比AP65N06NF的更小,更低的導通電阻,具有更低導通損耗,可節(jié)省戶外電源的電池電量;

5、兩者封裝均為DFN5*6封裝,引腳定義相同,可pin to pin替換。

ASDM60R017NQ封裝以及管腳定義


注:如涉及作品版權問題,請聯(lián)系刪除。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOS管
    +關注

    關注

    111

    文章

    2815

    瀏覽量

    77996
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    80N06貼片MOS規(guī)格書

    80N06 TO-252貼片MOS規(guī)格書
    發(fā)表于 11-25 10:29 ?0次下載

    60N03貼片MOS規(guī)格書

    60N03 TO-252貼片MOS規(guī)格書
    發(fā)表于 11-25 10:28 ?0次下載

    60N02貼片MOS規(guī)格書

    60N02 TO-252貼片MOS規(guī)格書
    發(fā)表于 11-25 10:28 ?0次下載

    50N06 TO-252貼片MOS規(guī)格書

    50N06 TO-252貼片MOS
    發(fā)表于 11-24 16:53 ?0次下載

    25N06 TO-252貼片MOS規(guī)格書

    25N06 TO-252貼片MOS
    發(fā)表于 11-21 17:17 ?0次下載

    20N06 TO-252貼片MOS規(guī)格書

    20N06 TO-252貼片MOS
    發(fā)表于 11-21 17:15 ?0次下載

    5N65 TO-252貼片MOS規(guī)格書

    5N65 TO-252貼片MOS
    發(fā)表于 11-20 18:00 ?0次下載

    4N65 TO-252貼片MOS規(guī)格書

    4N65 TO-252貼片MOS
    發(fā)表于 11-20 17:59 ?0次下載

    中科電ZK60N04NFN溝槽MOS中的場景適配專家

    在功率半導體的細分賽道中,MOS的性能參數(shù)直接決定著電路系統(tǒng)的效率與可靠性。ZK60N04NF這款明確標注“N溝槽”屬性的
    的頭像 發(fā)表于 11-05 11:24 ?586次閱讀
    中科<b class='flag-5'>微</b>電ZK<b class='flag-5'>60N04NF</b>:<b class='flag-5'>N</b>溝槽<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>中的場景適配專家

    中科電ZK60N06DS:N+N,低壓mos功率控制的集成化新選擇

    ZK60N06DS這款采用N+N雙管集成結構的MOSFET,正是為響應這一需求而生——60V耐壓覆蓋主流低壓系統(tǒng),5.8A單載流適配中低功
    的頭像 發(fā)表于 11-03 15:39 ?791次閱讀
    中科<b class='flag-5'>微</b>電ZK<b class='flag-5'>60N06</b>DS:<b class='flag-5'>N+N</b>,低壓<b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>功率控制的集成化新選擇

    代理供應希力 SJ MOS SSF60R190TH、SSD60R280FTR、SSD60R360METR、SSD65R900FTR

    希力 SJ MOS系列產(chǎn)品涵蓋250V-1000V全系列,提供高達140A靜態(tài)電流的規(guī)格,高工作頻率達到200KHz以上,可以滿足各種電源規(guī)格的需求。其高效率、低溫升的優(yōu)點,特別適用于
    發(fā)表于 08-27 09:49

    AP70H06NF-60V N-Channel增強模式MOSFET

    描述: AP70H06NF采用先進的APM-SGTⅠ技術 提供出色的RDS(ON) 低柵極電荷 并且可以在低至4.5V的柵極電壓下工作。 該器件適用于電池保護或其它開關應用。 一般特性: VDS
    發(fā)表于 07-16 10:54

    APJ14N65D-650V N-Channel增強模式MOSFET

    描述: APJ14N65D是CoolFET II MOSFET系列 也就是利用電荷平衡技術 低導通電阻和低柵極電荷性能 APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效果 一般特性
    發(fā)表于 07-15 16:22

    APJ14N65FIPIT(AP65R650)650VN-Channel增強模式MOSFET

    描述: APJ14N65F/P/T是CoolFET II MOSFET系列 也就是利用電荷平衡技術,低導通電阻和低柵極電荷性能。 APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效率 一般
    發(fā)表于 07-09 13:35

    |同步采樣24位模數(shù)轉換器軟硬件替換ADS1174應用于關口表

    |同步采樣24位模數(shù)轉換器軟硬件替換ADS1174應用于關口表
    的頭像 發(fā)表于 05-14 10:02 ?1137次閱讀
    <b class='flag-5'>國</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>思</b><b class='flag-5'>辰</b>|同步采樣24位模數(shù)轉換器軟硬件替換ADS1174應<b class='flag-5'>用于</b>關口表
    台北市| 枝江市| 会同县| 通渭县| 兴宁市| 浠水县| 陈巴尔虎旗| 曲水县| 刚察县| 延津县| 右玉县| 东兴市| 岑巩县| 丽水市| 衢州市| 舞钢市| 罗山县| 韩城市| 兖州市| 华池县| 枣强县| 乌拉特前旗| 苏尼特左旗| 吴川市| 内乡县| 喀喇沁旗| 三门县| 静海县| 江城| 班戈县| 和林格尔县| 宁海县| 海丰县| 高雄县| 淮滨县| 岑巩县| 镇康县| 普定县| 建湖县| 佛冈县| 扶风县|