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IPB60R090CFD7ATMA1

制造商：Infineon

描述：MOSFET N-CH 650V 25A TO263-3-2

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Element14
    Element14

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    4.5 V
  • 連續(xù)漏極電流
    25 A
  • 輸入偏置電容@400V
    2.103 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    650 V
  • 漏源導通電阻@11.4A,10V
    90 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@570uA
    4.5 V
  • 柵極電荷@10V
    51 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    124 W

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 制造商封裝
    TO-263-3-2
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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