onsemi碳化硅MOSFET NVHL020N090SC1：特性與應(yīng)用深度解析

在電子工程領(lǐng)域，功率器件的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。碳化硅（SiC）MOSFET憑借其出色的性能，成為了眾多應(yīng)用的理想選擇。今天，我們就來深入了解一下onsemi的NVHL020N090SC1碳化硅MOSFET。

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產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

該MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻。在 (V{GS}=15V) 時(shí)，典型 (R{DS(on)} = 20mOmega)；當(dāng) (V{GS}=18V) 時(shí)，典型 (R{DS(on)} = 16mOmega)。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，器件的功率損耗更小，能夠有效提高系統(tǒng)的效率。這對(duì)于需要高功率轉(zhuǎn)換效率的應(yīng)用，如汽車車載充電器和DC - DC轉(zhuǎn)換器等，尤為重要。

超低柵極電荷和低輸出電容

它擁有超低的柵極電荷，典型 (Q{G(tot)} = 196nC)，以及低有效的輸出電容，典型 (C{oss}=296pF)。低柵極電荷可以減少開關(guān)過程中的能量損耗，降低驅(qū)動(dòng)功率；而低輸出電容則有助于提高開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗。

可靠性高

該器件經(jīng)過100% UIL測試，符合AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備PPAP能力。這表明它在汽車等對(duì)可靠性要求極高的應(yīng)用中，能夠穩(wěn)定可靠地工作。同時(shí)，它是無鹵化物的，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)（豁免7a），并且在二級(jí)互連采用無鉛2LI技術(shù)，環(huán)保性能良好。

典型應(yīng)用

汽車車載充電器

在汽車車載充電器中，NVHL020N090SC1的低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗特性，能夠提高充電效率，減少發(fā)熱，延長充電器的使用壽命。同時(shí)，其高可靠性也能確保在汽車復(fù)雜的工作環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。

汽車DC - DC轉(zhuǎn)換器（EV/HEV）

對(duì)于電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力汽車（HEV）的DC - DC轉(zhuǎn)換器，該MOSFET可以有效提升轉(zhuǎn)換效率，降低功耗，從而增加車輛的續(xù)航里程。其快速的開關(guān)速度和低損耗特性，也有助于減小轉(zhuǎn)換器的體積和重量。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱特性

熱阻參數(shù)對(duì)于散熱設(shè)計(jì)至關(guān)重要，工程師在設(shè)計(jì)時(shí)需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用環(huán)境，合理選擇散熱方式，確保器件工作在安全的溫度范圍內(nèi)。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 (V{(BR)DSS})：在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=1mA) 時(shí)，最小值為900V。
• 零柵壓漏極電流 (I{DSS})：在 (V{GS}=0V)，(V{DS}=900V)，(T{J}=25^{circ}C) 時(shí)為100μA；在 (T_{J}=175^{circ}C) 時(shí)為250μA。
• 柵源泄漏電流 (I{GSS})：在 (V{GS}= +22 / -8V)，(V_{DS}=0V) 時(shí)為 ±1μA。

導(dǎo)通特性

• 漏源導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)})：在 (V{GS}=18V)，(I{D}=60A)，(T{J}=25^{circ}C) 時(shí)，典型值為20mΩ。

開關(guān)特性

• 上升時(shí)間：在 (I{D}=60A)，(R{G}=2.5Omega)，感性負(fù)載條件下為63ns。
• 下降時(shí)間：為13ns。
• 關(guān)斷開關(guān)損耗：2025μJ。

漏源二極管特性

• 連續(xù)漏源二極管正向電流 (I{SD})：在 (V{GS}=-5V)，(T_{J}=25^{circ}C) 時(shí)為153A。
• 脈沖漏源二極管正向電流 (I{SDM})：在 (V{GS}=-5V)，(T_{J}=25^{circ}C) 時(shí)為472A。
• 正向二極管電壓 (V{SD})：在 (V{GS}=-5V)，(I{SD}=30A)，(T{J}=25^{circ}C) 時(shí)為3.8V。

機(jī)械封裝

NVHL020N090SC1采用TO - 247長引腳封裝，具有特定的尺寸規(guī)格。這種封裝形式便于安裝和散熱，適用于多種應(yīng)用場景。

總結(jié)

onsemi的NVHL020N090SC1碳化硅MOSFET以其低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷、低輸出電容和高可靠性等特性，在汽車車載充電器和DC - DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。工程師在設(shè)計(jì)時(shí)，需要充分考慮其各項(xiàng)參數(shù)和特性，合理進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和散熱設(shè)計(jì)，以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。你在使用類似的MOSFET過程中，遇到過哪些挑戰(zhàn)呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。