IPD50R650CEAUMA1

制造商：Infineon

描述：MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3

Datasheet：

在線詢價

器件參數(shù)

Function

閾值電壓

3.5 V
連續(xù)漏極電流

9 A
輸入偏置電容@100V

342 pF
類型

N溝道
漏源電壓

500 V
漏源導(dǎo)通電阻@1.8A,13V

650 mΩ
柵源極閾值電壓@150uA

3.5 V
柵極電荷@10V

15 nC
晶體管類型

N溝道
功率耗散

69 W

Physical

工作溫度@Tj

150 °C
工作溫度(Min)

-55 °C
工作溫度(Max)

150 °C
安裝方式

SMT
制造商封裝

TO-252-3-344

Compliance

無鉛

Y
RoHS

yes

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