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FDMS3606S

制造商:ON Semiconductor

描述:MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Future
    Future
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    2.7 V
  • 通道數(shù)量
    2
  • 連續(xù)漏極電流
    27 A
  • 輸入偏置電容
    1.785 nF
  • 漏源電阻
    1.9 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    8 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵極電荷@10V
    29 nC
  • 晶體管類型
    2個N溝道(雙)非對稱型
  • 接通延遲時間
    15 ns
  • 功率耗散
    1 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    36 ns
  • 下降時間
    3.4 ns
  • 上升時間
    5.5 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 重量
    0.006032 oz
  • 配置
    Dual
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    Power-56-8

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • RoHS
    Yes

Dimension

  • 高度
    1 mm
  • 長度
    6 mm
  • 寬度
    5 mm
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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