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按產(chǎn)品類型
更多分類

FQB6N80TM

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Digikey
    Digikey
  • Future
    Future
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    5.8 A
  • 額定電壓
    800 V
  • 閾值電壓
    5 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    5.8 A
  • 輸入偏置電容
    1.5 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    1.95 Ω
  • 漏源電壓
    800 V
  • 漏源極擊穿電壓
    800 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,2.9A
    1.95 Ω
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    1.95 Ω
  • 柵源電壓
    30 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    5 V
  • 柵極電荷@10V
    31 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    30 ns
  • 功率耗散
    3.13 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    65 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    45 ns
  • 上升時(shí)間
    70 ns

Physical

  • 配置
    Single
  • 端子間距
    5.08 mm
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    800
  • 制造商封裝
    TO-263-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    4.83 mm
  • 長度
    10.67 mm
  • 寬度
    9.65 mm
庫存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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