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IMBG120R060M1HXTMA1

制造商：Infineon

描述：SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263

Datasheet：

在線詢價

器件參數(shù)

Function

閾值電壓

5.7 V
連續(xù)漏極電流

36 A
輸入偏置電容@800V

1.145 nF
類型

N溝道
漏源電壓

1.2 kV
漏源導通電阻@18V,13A

83 mΩ
柵源極閾值電壓@5.6mA

5.7 V
柵極電荷@18V

34 nC
晶體管類型

N溝道
功率耗散

181 W
FET功能

Standard

Physical

工作溫度@Tj

175 °C
工作溫度(Min)

-55 °C
工作溫度(Max)

175 °C
安裝方式

SMT
制造商封裝

TO-263-7-12

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