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按產(chǎn)品類型
更多分類

STW26NM60N

制造商:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3

Datasheet:

在線詢價(jià)
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    3 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    20 A
  • 輸入偏置電容
    1.8 nF
  • 類型
    N溝道
  • 等級
    Industrial
  • 漏源電阻
    135 mΩ
  • 漏源電壓
    600 V
  • 漏源極擊穿電壓
    600 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,10A
    165 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    165 mΩ
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    60 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    13 ns
  • 反向傳輸電容
    6 pF
  • 功率耗散
    140 W
  • 擊穿電壓
    600 V
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    85 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    50 ns
  • 上升時(shí)間
    25 ns

Physical

  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    30
  • 制造商封裝
    TO-247AC-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    20.15 mm
  • 長度
    15.75 mm
  • 寬度
    5.15 mm
庫存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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