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FDB031N08

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Datasheet：

在線(xiàn)詢(xún)價(jià)

器件參數(shù)

Function

配置

Single
連續(xù)漏極電流

235 A
輸入偏置電容

15.16 nF
類(lèi)型

N溝道
漏源電阻

3.1 mΩ
漏源電壓

75 V
漏源極擊穿電壓

75 V
漏源導(dǎo)通電阻@10V,75A

3.1 mΩ
漏源導(dǎo)通電阻

3.1 mΩ
柵源電壓

20 V
柵源極閾值電壓@250uA

4.5 V
柵極電荷

220 nC
晶體管類(lèi)型

N溝道
接通延遲時(shí)間

230 ns
功率耗散

375 W
關(guān)閉延遲時(shí)間

335 ns
元件數(shù)量

1
下降時(shí)間

121 ns
上升時(shí)間

191 ns

Physical

配置

Single
抗輻射加固

No
引腳數(shù)

3
工作溫度

-55 °C, 175 °C
安裝方式

Surface Mount
包裝方式

Tape and Reel
包裝數(shù)量

1
制造商封裝

D2PAK

Compliance

無(wú)鉛

Lead Free
RoHS

Yes

Dimension

高度

4.83 mm
長(zhǎng)度

10.67 mm
寬度

11.33 mm

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