深入解析FDB0105N407L N-Channel PowerTrench? MOSFET

一、引言

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為重要的功率開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和電子設(shè)備中。今天我們要深入探討的是Fairchild Semiconductor（現(xiàn)屬于ON Semiconductor）的FDB0105N407L N-Channel PowerTrench? MOSFET，它在工業(yè)應(yīng)用中展現(xiàn)出了卓越的性能。

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二、產(chǎn)品背景與變更說明

Fairchild Semiconductor已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分Fairchild可訂購的零件編號(hào)需要更改，原編號(hào)中的下劃線（_）將改為破折號(hào)（-）。大家可通過ON Semiconductor官網(wǎng)（www.onsemi.com）核實(shí)更新后的器件編號(hào)。

三、FDB0105N407L MOSFET特性

3.1 工藝與性能優(yōu)勢

該N溝道MOSFET采用了Fairchild Semiconductor先進(jìn)的PowerTrench?工藝，專門針對工業(yè)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。其顯著特點(diǎn)是在保持出色的堅(jiān)固性和開關(guān)性能的同時(shí)，最大程度地降低了導(dǎo)通電阻。

• 低導(dǎo)通電阻：在(V{GS}=10V)，(I{D}=50A)時(shí)，最大(r{DS(on)} = 0.8mΩ)；在(V{GS}=6V)，(I{D}=42A)時(shí)，最大(r{DS(on)} = 1.1mΩ)。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗更小，能有效提高系統(tǒng)效率。
• 快速開關(guān)速度：具備快速的開關(guān)特性，可減少開關(guān)過程中的能量損耗，適用于高頻應(yīng)用。
• 低柵極電荷：低柵極電荷有助于降低驅(qū)動(dòng)功率，提高開關(guān)速度和效率。
• 高性能溝槽技術(shù)：這種技術(shù)使得(R_{DS(on)})極低，同時(shí)具備高功率和高電流處理能力。
• RoHS合規(guī)：符合環(huán)保要求，滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的綠色設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。

3.2 應(yīng)用領(lǐng)域

該MOSFET適用于多種工業(yè)應(yīng)用，包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源、工業(yè)自動(dòng)化、電池供電工具、電池保護(hù)、UPS和能量逆變器、太陽能逆變器等。

四、產(chǎn)品參數(shù)與特性

4.1 最大額定值

4.2 熱特性

• 熱阻（結(jié)到殼）(R_{θJC})： 0.5 (^{circ}C/W)
• 熱阻（結(jié)到環(huán)境）(R_{θJA})： 40 (^{circ}C/W)（安裝在(1in^2)的2oz銅焊盤上）

4.3 電氣特性

4.3.1 關(guān)斷特性

• (BV_{DSS})（漏源擊穿電壓）：在(I{D}=250μA)，(V{GS}=0V)時(shí)，最小值為40V。
• (Delta BV{DSS}/Delta T{J})（擊穿電壓溫度系數(shù)）：在(I_{D}=250μA)，參考溫度為(25^{circ}C)時(shí)，典型值為13mV/°C。
• (I_{DSS})（零柵壓漏極電流）：在(V{DS}=32V)，(V{GS}=0V)時(shí)，最大值為1μA。
• (I_{GSS})（柵源泄漏電流）：在(V{GS}=±20V)，(V{DS}=0V)時(shí)，最大值為±100nA。

4.3.2 導(dǎo)通特性

• (V_{GS(th)})（柵源閾值電壓）：在(V{S}=V{DS})，(I_{D}=250A)時(shí)，最小值為2V，典型值為2.8V，最大值為4V。
• (r_{DS(on)})（靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻）：在不同的(V{GS})和(I{D})條件下有不同的值，如(V{GS}=10V)，(I{D}=50A)時(shí)，最大值為0.8mΩ。
• (g_{fs})（正向跨導(dǎo)）：在(V{DS}=10V)，(I{D}=50A)時(shí)，典型值為286S。

4.3.3 動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容(C_{iss})： 23100pF
• 輸出電容(C_{oss})： 7470pF
• 反向傳輸電容(C_{rss})： 1365pF
• 柵極電阻(R_{g})： 2.6Ω

4.3.4 開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間(t_{d(on)})： 典型值為45ns，最大值為73ns。
• 上升時(shí)間(t_{r})： 典型值為69ns，最大值為110ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間(t_{d(off)})： 典型值為117ns，最大值為186ns。
• 下降時(shí)間(t_{f})： 典型值為61ns，最大值為97ns。
• 總柵極電荷(Q_{g})： 典型值為208nC，最大值為291nC。

4.3.5 漏源二極管特性

• 最大連續(xù)漏源二極管正向電流：460A
• 最大脈沖漏源二極管正向電流：2540A
• 源漏二極管正向電壓(V_{SD})： 在(V{GS}=0V)，(I{S}=50A)時(shí)，最小值為0.8V，最大值為1.2V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間(t_{rr})： 典型值為107ns，最大值為171ns。
• 反向恢復(fù)電荷(Q_{rr})： 典型值為119nC，最大值為191nC。

五、典型特性曲線

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，如導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系、導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系、傳輸特性、源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系、柵極電荷特性、電容與漏源電壓的關(guān)系、非鉗位電感開關(guān)能力、正向偏置安全工作區(qū)、單脈沖最大功率耗散、結(jié)到殼瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線有助于工程師更好地了解該MOSFET在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

六、封裝與訂購信息

該MOSFET采用D2-PAK-7L封裝，卷盤尺寸為330mm，膠帶寬度為24mm，每卷數(shù)量為800個(gè)。

七、總結(jié)與思考

FDB0105N407L N-Channel PowerTrench? MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度、低柵極電荷等特性，在工業(yè)應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢。但在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景，綜合考慮其各項(xiàng)參數(shù)和特性，如熱特性、開關(guān)特性等，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。同時(shí)，也要關(guān)注ON Semiconductor的產(chǎn)品變更信息，及時(shí)更新器件編號(hào)。大家在使用這款MOSFET時(shí)，有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)?？歡迎在評(píng)論區(qū)分享。