STD8N60DM2

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 8A DPAK

Datasheet：

在線詢價

器件參數(shù)

Function

連續(xù)漏極電流

8 A
輸入偏置電容@100V

375 pF
類型

N溝道
等級

Industrial
漏源電壓

600 V
漏源導通電阻@10V,4A

600 mΩ
柵源極閾值電壓@100uA

5 V
柵極電荷@10V

4 nC
晶體管類型

N溝道
功率耗散

85 W

Physical

安裝方式

SMT
制造商封裝

TO-252

Compliance

無鉛

Lead Free

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