產(chǎn)品
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D1210UK功率晶體管TT Electronics2022-06-29 19:03
產(chǎn)品型號：D1210UK 工作電壓：20V 功率輸出：5W 測試頻率：1GHz 應用范圍：1-1000MHz 有源FET配置：3 -
XC6SLX9-2TQG144I FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列 Xilinx品牌2022-06-29 11:03
產(chǎn)品型號：XC6SLX9-2TQG144I 輸入/輸出端數(shù)量：102 I/O 工作電源電壓：1.2 V 最小工作溫度：- 40 C 最大工作溫度：+ 100 C 安裝風格：SMD/SMT -
CMPA5259025F-AMP HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)評估板2022-06-29 10:01
產(chǎn)品型號：CMPA5259025F-AMP 小信號增益：30 dB PSAT 的效率：50% 工作電壓：高達 28 V 擊穿電壓：高擊穿電壓 -
CMPA5259025S HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-06-29 09:59
產(chǎn)品型號：CMPA5259025S 小信號增益：30 dB PSAT 的效率：50% 工作電壓：高達 28 V 擊穿電壓：高擊穿電壓 -
CMPA5259025F HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-06-29 09:57
產(chǎn)品型號：CMPA5259025F 小信號增益：30 dB PSAT 的效率：50% 工作電壓：高達 28 V 高擊穿：高擊穿電壓 -
CMPA3135060S氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-06-29 09:43
產(chǎn)品型號：CMPA3135060S 操作頻率：3.1 - 3.5 GHz 典型輸出功率：75 W 功率增益：29 分貝 歐姆匹配：50 塑料表面貼裝封裝：7x7 mm QFN -
CMPA2935150S氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-06-29 09:32
產(chǎn)品型號：CMPA2935150S 效率：高功率附加效率 典型 PSAT：190 W 擊穿電壓：高擊穿電壓 耐高溫：高溫操作 -
CMPA801B030F-AMP HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)評估板2022-06-28 16:53
產(chǎn)品型號：CMPA801B030F-AMP 典型 PSAT：40 W 工作電壓：高達 28 V 擊穿電壓：高擊穿電壓 操作溫度：高溫操作 -
CMPA801B030D1 HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-06-28 16:51
產(chǎn)品型號：CMPA801B030D1 典型 PSAT：40 W 工作電壓：高達 28 V 擊穿電壓：高擊穿電壓 操作溫度：高溫操作 -
CMPA801B030S HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-06-28 16:49
產(chǎn)品型號：CMPA801B030S 典型 PSAT：40 W 工作電壓：高達 28 V 擊穿電壓：高擊穿電壓 操作溫度：高溫操作