產(chǎn)品
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CMPA801B030F1 HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-06-28 16:47
產(chǎn)品型號(hào)：CMPA801B030F1 典型 PSAT：40 W 工作電壓：高達(dá) 28 V 擊穿電壓：高擊穿電壓 操作溫度：高溫操作 -
CMPA801B030F HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-06-28 16:45
產(chǎn)品型號(hào)：CMPA801B030F 典型 PSAT：40 W 工作電壓：高達(dá) 28 V 擊穿電壓：高擊穿電壓 耐高溫：高溫操作 -
CMPA2560025F-AMP HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-06-28 10:48
產(chǎn)品型號(hào)：CMPA2560025F-AMP 小信號(hào)增益：24 dB 典型 PSAT：25 W 工作電壓高達(dá)： 28 V 耐壓性：高擊穿電壓 耐高溫：高溫操作 -
CMPA2560025F HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-06-28 10:46
產(chǎn)品型號(hào)：CMPA2560025F 小信號(hào)增益：24 dB 典型 PSAT：25 W 工作電壓高達(dá)： 28 V 耐壓性：高擊穿電壓 耐高溫：高溫操作 -
CMPA2560025D HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-06-28 10:41
產(chǎn)品型號(hào)：CMPA2560025D 小信號(hào)增益：24 dB 典型 PSAT：25 W 工作電壓高達(dá)： 28 V 耐壓性：高擊穿電壓 耐高溫：高溫操作 -
CMPA2060035F1-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-28 09:46
產(chǎn)品型號(hào)：CMPA2060035F1-AMP 小信號(hào)增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作電壓：高達(dá) 32 V 耐壓性：高擊穿電壓 耐高溫：高溫操作 -
CMPA2060035F-AMP1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-28 09:44
產(chǎn)品型號(hào)：CMPA2060035F-AMP1 小信號(hào)增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作電壓高達(dá)： 32 V 耐壓性：高擊穿電壓 耐高溫：高溫操作 -
CMPA2060035F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-28 09:42
產(chǎn)品型號(hào)：CMPA2060035F-AMP 小信號(hào)增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作電壓高達(dá)： 32 V 耐壓性：高擊穿電壓 耐高溫：高溫操作 -
CMPA2060035F1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-28 09:40
產(chǎn)品型號(hào)：CMPA2060035F1 小信號(hào)增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作電壓： 高達(dá)32 V 耐壓性：高擊穿電壓 耐高溫：高溫操作 -
CMPA2060035F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-28 09:38
產(chǎn)品型號(hào)：CMPA2060035F 小信號(hào)增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作電壓高達(dá)： 32 V 耐壓性：高擊穿電壓 耐高溫：高溫操作