產(chǎn)品
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CGHV59350P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 14:27
產(chǎn)品型號(hào)：CGHV59350P 操作頻率：5.2 – 5.9 GHz 典型輸出功率：470 W 功率增益：10.7分貝 典型排水效率：60% 內(nèi)部匹配：50 歐姆 -
CGHV59350F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 14:24
產(chǎn)品型號(hào)：CGHV59350F 操作頻率：5.2 – 5.9 GHz 典型輸出功率：470 W 功率增益：10.7分貝 典型排水效率：60% 歐姆內(nèi)部匹配：50 -
CGHV59070F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板2022-06-27 14:13
產(chǎn)品型號(hào)：CGHV59070F-AMP 操作頻率：4.4 – 5.9 GHz 操作 典型值為：50 V 時(shí) POUT 功率增益：14分貝 排水效率：55 % -
CGHV59070P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 14:11
產(chǎn)品型號(hào)：CGHV59070P 操作頻率：4.4 – 5.9 GHz 典型值為：50 V 時(shí) POUT 功率增益：14分貝 排水效率：55 % -
CGHV59070F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 14:09
產(chǎn)品型號(hào)：CGHV59070F 操作頻率：4.4 – 5.9 GHz 典型值為：50 V 功率增益：14分貝 排水效率：55 % -
CGHV50200F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板2022-06-27 09:19
產(chǎn)品型號(hào)：CGHV50200F-AMP 操作頻率：4.4 – 5.0 GHz 典型 PSAT：180 W 典型功率增益：11.5 dB 典型功率效率：48% 歐姆內(nèi)部匹配：50 -
CGHV50200F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 09:17
產(chǎn)品型號(hào)：CGHV50200F 操作頻率：4.4 – 5.0 GHz 典型 PSAT：180 W 典型功率增益：11.5 dB 典型功率效率：48% 歐姆內(nèi)部匹配：50 -
D5005UK功率晶體管TT Electronics2022-06-26 18:32
產(chǎn)品型號(hào)：D5005UK 工作電壓：20V 功率輸出：5W 測(cè)試頻率：1GHz 應(yīng)用范圍：1-1000MHz 有源FET配置：3 -
D5003UK功率晶體管TT Electronics2022-06-26 18:26
產(chǎn)品型號(hào)：D5003UK 工作電壓：20V 功率輸出：5W 測(cè)試頻率：1GHz 應(yīng)用范圍：1-1000MHz 有源FET配置：3 -
D5002UK功率晶體管TT Electronics2022-06-26 18:21
產(chǎn)品型號(hào)：D5002UK 工作電壓：20V 功率輸出：5W 測(cè)試頻率：1GHz 應(yīng)用范圍 ：1-1000MHz 有源FET配置：3