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### 一、產(chǎn)品簡介**IRLR8113VTRPBF-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET，封裝為TO252。它設(shè)計(jì)用于高電流和低電壓應(yīng)用，具有極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能。該MOSFET 的最大漏源電壓（VDS）為30V，柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍為±20V，閾值電壓（Vth）為1.7V。其導(dǎo)通電阻在4.5V柵極電壓下為3mΩ，在10V柵極電壓下為2mΩ，能夠

### K3279-VB 產(chǎn)品簡介K3279-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，采用TO252封裝，具有較低的導(dǎo)通阻抗和高電流承載能力，適用于高效能電源和驅(qū)動(dòng)電路，能夠在較小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的散熱和性能。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **封裝**: TO252- **配置**: 單N溝道- **VDS**: 30V- **VGS**: ±20V- **Vth*

**產(chǎn)品簡介（LR110A-VB）**LR110A-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，采用TO252封裝，設(shè)計(jì)用于需要高電壓和中等電流的應(yīng)用。憑借其低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力，該MOSFET特別適合于電源管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高效能應(yīng)用。其基于先進(jìn)的溝槽（Trench）技術(shù)，不僅確保了優(yōu)異的開關(guān)性能，還大幅降低了功耗。**詳細(xì)參數(shù)說明**- **封裝**：TO25

### 一、MTD1302T4G-VB 產(chǎn)品簡介MTD1302T4G-VB 是一款高性能的 **單 N 溝道 MOSFET**，采用 **TO252** 封裝設(shè)計(jì)，具有 **30V 的漏源電壓（VDS）** 和 **20V 的柵極電壓（VGS）**。該 MOSFET 的開啟電壓為 **1.7V**，并在 **4.5V 的柵極電壓下** 顯示出 **9mΩ 的

### 產(chǎn)品簡介NCE5055K-VB是一款高性能的單N通道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電壓和中等電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其額定VDS為60V，VGS可達(dá)到±20V，提供優(yōu)秀的導(dǎo)通性能。該器件的導(dǎo)通電阻RDS(ON)為13mΩ@VGS=4.5V和10mΩ@VGS=10V，最大漏電流ID為58A，采用Trench技術(shù)，確保高效率和低熱耗散，非常適合各種電源

### 產(chǎn)品簡介NTD25P03LT4G-VB是一款高效的單P通道MOSFET，采用TO252封裝，專為負(fù)壓開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。其出色的導(dǎo)通特性和較低的導(dǎo)通電阻使其成為高效能電源管理和負(fù)載驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的理想選擇。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **封裝**: TO252 - **配置**: 單P通道 - **VDS**: -30V - **VGS**: ±20V -

### 產(chǎn)品簡介**NTD5805NT4G-VB** 是一款高效能的N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件以其出色的導(dǎo)通性能和低導(dǎo)通電阻，適合用于高頻開關(guān)和電源管理應(yīng)用。NTD5805NT4G-VB的最大漏源電壓為40V，最大連續(xù)漏電流可達(dá)85A，能夠滿足多種電源轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)需求。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **型號(hào)**: NTD580

### 產(chǎn)品簡介NTD5865NT4G-VB是一款高效能的N-Channel MOSFET，采用TO252封裝，專為中等至高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。憑借其合理的導(dǎo)通電阻和優(yōu)秀的開關(guān)特性，該器件在電源管理和驅(qū)動(dòng)電路中展現(xiàn)出色性能，非常適合多種高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **配置**：單N通道- **封裝**：TO252- **VDS**：60V- **VG

### P0420AD-VB 產(chǎn)品簡介P0420AD-VB是一款高性能的N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的漏源電壓（VDS）高達(dá)200V，適合多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。憑借其適中的導(dǎo)通電阻和穩(wěn)定的性能，P0420AD-VB在高電壓環(huán)境中能夠提供可靠的開關(guān)操作，是電源設(shè)計(jì)工程師的理想選擇。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **封裝類型**

### 產(chǎn)品簡介P1203BD-VB 是一款高效能的單極 N 型 MOSFET，采用 TO252 封裝，設(shè)計(jì)用于低壓高電流應(yīng)用。該器件采用 Trench 技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和較寬的工作范圍，非常適合各種電源管理和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。其最大漏源電壓（VDS）為 30V，最大漏極電流（ID）可達(dá) 80A，確保在嚴(yán)苛環(huán)境下的高效性能。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **型號(hào)*