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HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MT元器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 一：元器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀主要特點(diǎn)華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品介紹 產(chǎn)品為桌面放置的臺(tái)式機(jī)結(jié)構(gòu)，由測(cè)試主機(jī)和程控電腦兩大部分組成。外掛各類(lèi)夾具和適配器，還能 夠通過(guò) Prober 接口、Handler 接口可選（16Bin）連接分選機(jī)和機(jī)械手建立工作站，實(shí)現(xiàn)快速批量化測(cè) 試。通過(guò)軟件設(shè)置可依照被測(cè)器件的參數(shù)等級(jí)進(jìn)行自動(dòng)分類(lèi)存放。能夠應(yīng)對(duì)“來(lái)料檢驗(yàn)”“失效分 析”“選型配對(duì)”“量

半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品介紹 產(chǎn)品為桌面放置的臺(tái)式機(jī)結(jié)構(gòu)，由測(cè)試主機(jī)和程控電腦兩大部分組成。外掛各類(lèi)夾具和適配器，還能 夠通過(guò) Prober 接口、Handler 接口可選（16Bin）連接分選機(jī)和機(jī)械手建立工作站，實(shí)現(xiàn)快速批量化測(cè) 試。通過(guò)軟件設(shè)置可依照被測(cè)器件的參數(shù)等級(jí)進(jìn)行自動(dòng)分類(lèi)存放。能夠應(yīng)對(duì)“來(lái)料檢驗(yàn)”“失效分 析”“選型配

HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MT功率芯片靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 一：功率芯片靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)主要特點(diǎn)華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的

HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MT功率芯片靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 一：功率芯片靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)主要特點(diǎn)華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的

高輸入電壓 低壓差 350mA 輸出電流 CMOS 穩(wěn)壓器■ 產(chǎn)品概述GS75XX 系列是一款采用 CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)的三端高輸入電壓、低壓差、中輸出電流電壓穩(wěn)壓器。它的輸出電流可達(dá)到 350mA，最大輸入電壓可達(dá)到 40V。其固定輸出電壓的范圍是 3.0V～6.0V，用戶也可通過(guò)外圍應(yīng)用電路來(lái)實(shí)現(xiàn)輸出電壓可調(diào)。芯片采用 CMOS 工藝可實(shí)現(xiàn)低壓差和小

3225有源晶振OSC1、超小尺寸，貼片金屬封裝有源晶振，尺寸為：3.20×2.50×1.20mm2、高精度和高頻率穩(wěn)定性,支持三態(tài)功能3、卷軸編帶包裝，可用于自動(dòng)安裝和回流焊4、高頻率輸出范圍1~220MHz5、低工作電壓1.8V~3.3V,低相噪、抖動(dòng),快速起振低至1ms6、綠色環(huán)保產(chǎn)品，通過(guò)RoHS和Pb Free認(rèn)證,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求。

2012封裝尺寸 2K系列1、超小尺寸，2P貼片音叉晶體32.768kHz，尺寸為：2.0×1.2×0.60mm2、高可靠性,-40°C~+85°C工業(yè)級(jí)溫度，優(yōu)良的耐環(huán)境特性。3、適應(yīng)自動(dòng)裝配的8MM高度的卷軸編帶包裝,可用于自動(dòng)安裝和回流焊。4、綠色環(huán)保產(chǎn)品，通過(guò)RoHS和Pb Free認(rèn)證,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求。5、提供匹配實(shí)驗(yàn)：頻率偏差、驅(qū)

### IRLR110TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRLR110TRPBF-VB 是一款高效的單N溝道功率MOSFET，封裝為T(mén)O252。此MOSFET 設(shè)計(jì)用于處理中等電壓和電流應(yīng)用，其漏源極電壓（VDS）為100V，最大漏極電流為15A。柵源極電壓（VGS）額定為±20V。IRLR110TRPBF-VB 使用Trench（溝槽）技術(shù)，提供了適

### **產(chǎn)品簡(jiǎn)介：MTD3055VLG-VB MOSFET**MTD3055VLG-VB是一款**單N通道MOSFET**，采用**TO252封裝**，專(zhuān)為高效能和高可靠性開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它具備**60V的漏源電壓（VDS）**，能夠承受較高的電壓，同時(shí)在**±20V的柵源電壓（VGS）**下穩(wěn)定工作。這款MOSFET的**閾值電壓（Vth）為1.7V*