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1 面板介紹1.1 前面板ER22020/T整流模塊（以下簡稱模塊）前面板如圖1所示。圖1 模塊前面板LED可顯示模塊電壓、電流、告警、地址、分組號、運行模式等信息。若按鍵無操作超過大約一分鐘后，LED將自動顯示模塊電壓和電流，此時如果存在告警，則顯示告警信息。電壓顯示精度為±0.5％，電流顯示精度為±0.2A。指示燈前面板上有3個指示燈，具體說明見表

從實驗室到產(chǎn)線的分立器件測試，需要一套兼具高精度、高效率、可靠性和可擴展性的解決方案。這是一個從 “研發(fā)驗證” 到 “批量生產(chǎn)” 的跨越，對測試系統(tǒng)的要求有顯著不同。一、核心需求差異：實驗室 vs. 產(chǎn)線維度實驗室/研發(fā)測試生產(chǎn)線測試核心目標性能表征、極限分析、模型驗證質(zhì)量把關(guān)、快速分選、成本控制關(guān)鍵指標精度、靈活性、測量范圍、功能全面性速度、穩(wěn)定性、重復(fù)性

HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MT大功率IGBT模塊測試設(shè)備 一：大功率IGBT模塊測試設(shè)備主要特點華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以

HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MTMOS管功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀 一：MOS管功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀主要特點華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），50

HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MT功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測試系統(tǒng) 一：功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測試系統(tǒng)主要特點華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以

HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MT半導(dǎo)體器件測試設(shè)備 一：半導(dǎo)體器件測試設(shè)備主要特點華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件

HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MTSiC器件靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備 一：SiC器件靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備主要特點華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以

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