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SSF65R650S2場效應管參數(shù)? Multi-Epi process SJ-FET? 700V @TJ = 150 ℃? Typ. RDS(on) = 0.55Ω? Ultra Low Gate Charge (typ. Qg = 13.6nC)? 100% avalanche tested驪微電子供應SSF65R650S2場效應管超結(jié)MOS， 提供SS

CX32L003F8P6T CX32L003是一款內(nèi)嵌32位ARM? Cortex?-M0+內(nèi)核的超低功耗、Low Pin Count和寬電壓工作范圍(2.5V～5.5V)的微控制器，最高可運行在24MHz，內(nèi)置32K/64K字節(jié)的嵌入式Flash，4K字節(jié)的SRAM，集成了12位1Msps高精度SAR型ADC、RTC、比較器、多路UART、SPI、I

特征?寬輸入范圍：3.8V-36V?高達5A的連續(xù)輸出電流?0.8V±1%反饋參考電壓?集成45m? 高側(cè)和20mΩ低側(cè) 功率MOSFET?最小接通時間為100ns?4ms內(nèi)部軟啟動時間?可調(diào)頻率100KHz至1.1MHz?外部時鐘同步?強制脈沖寬度調(diào)制（FPWM）模式?可編程精度啟用閾值 輸入電壓欠壓鎖定保護（UVLO）閾值和滯后?低衰減模式操作?可推導逆

MRC5000是一款全自主知識產(chǎn)品的移動機器人領(lǐng)域?qū)I(yè)控制器產(chǎn)品。MRC5000具有“可靠、穩(wěn)定、靈活、易用“等特點，內(nèi)置多種導航算法，支持各種國內(nèi)外常用型號導航傳感器，具有防火墻功能和無線路由功能。MRC5000自帶豐富的I/O資源和各種通訊接口，不僅支持CANopen和Modbus等標準通訊協(xié)議，還支持采用非標的自定義串行和以太網(wǎng)通訊協(xié)議，配備圖形化二次

CPM3-0900-0010A是900 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。第 3 代系列 900 V 碳化硅 MOSFET，用于高性能電力電子設備。通過引入最先進的 SiC MOSFET 技術(shù)來擴展其在碳化硅 (SiC) 技術(shù)方面的領(lǐng)先地位；業(yè)界首個 900 V MOSFET 平臺。針對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化；包括可再生能源逆變器；電動汽車充

概述LTK5313 是一款內(nèi)置自適應升壓 F 類音頻功率放大芯片，具有 AGC 防破音功能、AB/D 類模式切換、自適應、超低底噪、超低 EMI。自適應升壓在輸出幅度較小時升壓電路不工作，功放直接由電源供電，當輸出較大時內(nèi)部自動啟動升壓電路，功放供電電壓為升壓電壓，達到更大的輸出功率。LTK5313 有四種 AGC 模式可選擇，能滿足各種不同的需求，并且保護

PL3378C 5v2a原邊反饋控制芯片主要特點：? 內(nèi)置高壓功率BJT管 ? 全電壓范圍內(nèi)高精度恒流/恒壓調(diào)節(jié)? 去除光耦和次級控制電路? 內(nèi)置恒流調(diào)節(jié)的線電壓補償? 內(nèi)置變壓器電感補償? 內(nèi)置輸出線補償? 內(nèi)置可提高效率的自適應PFM控制? 低啟動電流? 內(nèi)置前沿消隱? 逐周期電流限制? VDD欠壓/過壓保護? 輸出過壓保護? 輸出短路保護? 內(nèi)置過溫保