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陜西博微電通科技

注于高精度半導(dǎo)體分立器件測試設(shè)備,光耦測試設(shè)備及半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)方案的高科技企業(yè)。

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功率半導(dǎo)體綜合測試系統(tǒng)

型號: BW-4022C

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 尺寸 深 660*寬 430*高 210(mm) 臺式
  • 規(guī)格 臺式機(jī)
  • 高壓源/高流源 2000V/100A&200A
  • 采樣率 16ADC
  • 精度 0.1%&0.5%
  • 可測試光耦類型 三極管型光耦,可控硅光耦,繼電器光耦等

--- 產(chǎn)品詳情 ---

 

BW-4022C

功率半導(dǎo)體綜合測試系統(tǒng)

 

BW-4022C半導(dǎo)體綜合測試系統(tǒng)可同時(shí)針對:

光耦】Input:Vf/It/Ct;Output:Iceo/BVceoBVeco;TransferCharacteristics:If/CTR&Vice(sat)/Riso/Cf/Fc/Tr/Tf.

適用于〖三極管管型光耦/可控硅光耦/繼電器光耦〗進(jìn)行測試。

二極管

--Kelvin /Type_ident /Pin_test /Vrrm/Irrm/V/△Vf/V_Vrrm/I_Irrm/△Vrrm;

Diode /穩(wěn)壓Diode/ZD/SBC/TVS/整流橋堆〗進(jìn)行測試。

壓敏電阻

〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗進(jìn)行測試。

【鋰亞電池】

〖Kelvin/電池空載電壓(Vbt)/負(fù)載電壓(Vbt_load ) /測試電流(0-10A 恒流 )/負(fù)載電壓變化值(▲Vbt_load)/電池內(nèi)阻(Vbt Res) 等進(jìn)行測試。

【晶振】

〖震蕩頻率(Freq_osc )/諧振電阻(Ri)/頻率精度(Freq_ppm)/測試頻率范圍(10kHz~10MHz)等測試。

【其他測試功能可定制拓展】【產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)資料請向廠家索要】

BW-4022C半導(dǎo)體綜合測試系統(tǒng)是針對于半導(dǎo)體器件開發(fā)專用測試的系統(tǒng),經(jīng)我公司產(chǎn)品升級與開發(fā),目前亦可以對二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種器件進(jìn)行參數(shù)測試,性能、精度、測試范圍均滿足客戶測試需求,可用于客戶端來料檢驗(yàn)、研發(fā)分析、 產(chǎn)品選型等重要檢測設(shè)備之一。

BW-4022C 半導(dǎo)體綜合測試系統(tǒng)采用大規(guī)模 32 位 ARM&MCU 設(shè)計(jì), PC 中文操作界面,程控軟件基于 Lab VIEW 平臺, 填充調(diào)用式菜單操作界面,測試界面簡潔 靈活、人機(jī)界面友好。配合開爾文綜合集成測試插座,根據(jù)不同器件更換測試座配合,系統(tǒng)可適配設(shè)置完成對二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種元件的靜態(tài)參數(shù)測試。

該測試系統(tǒng)主要由測試主機(jī)和程控電腦及外部測試夾具三部分組成,并接受客戶端MES系統(tǒng)進(jìn)行測試指令:方案選取/開始/暫停/停止/數(shù)據(jù)上傳等操作執(zhí)行,并可將測試數(shù)據(jù)上傳至MES系統(tǒng)由客戶端處理。

一、 設(shè)備規(guī)格與環(huán)境要求

物理規(guī)格

主機(jī)尺寸:深 660*寬 430*高 210(mm) 臺式

主機(jī)重量:<25kg

產(chǎn)品色系:白色系

工況環(huán)境

主機(jī)功耗:<300W

海拔高度:海拔不超過 1500m;

環(huán)境要求:-20℃~60℃(儲存)、5℃~50℃(工作);

相對濕度: 20%RH~75%RH (無凝露,濕球溫度計(jì)溫度 45℃以下);

大氣壓力:86Kpa~106Kpa;

防護(hù)條件:無較大灰塵,腐蝕或可燃性氣體,導(dǎo)電粉塵等;

供電要求

電源配置:AC220V±10%、50Hz±1Hz;

工作時(shí)間:連續(xù);

二、測試種類與技術(shù)指標(biāo)

1、光耦測試:

輸入(Input)相關(guān)參數(shù)

·正向電壓(Forward Voltage)

·符號:Vf

·最小值:無

·典型值:1.2 V

·MAX值:1.4 V

·單位:V

·測試條件:If=20mA

·反向電流(Reverse Current)

·符號:Ir

·最小值:無

·典型值:無

·MAX值:10 μA

·單位:μA

·測試條件:Vr=4V

輸出(Output)相關(guān)參數(shù)

·集電極暗電流(Collector Dark Current)

·符號:Iceo

·最小值:無

·典型值:無

·MAX值:100 nA

·單位:nA

·測試條件:Vce-20V,If=0

·集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓(Collector-Emitter Breakdown Voltage)

·符號:BVceo

·最小值:80 V

·典型值:無

·MAX值:無

·單位:V

·測試條件:Ic-0.1mA,If=0

·發(fā)射極 - 集電極擊穿電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage)

·符號:BVeco

·最小值:6 V

·典型值:無

·MAX值:無

·單位:V

·測試條件:Ie-10μA,,If=0

·集電極電流(Collector Current)

·符號:Ic

·最小值:2.5 mA

·典型值:無

·MAX值:30 mA

·單位:mA

·測試條件:If=5mA,Vce-5V

·電流傳輸比(Current Transfer Ratio)

·符號:CTR

·最小值:50 %

·典型值:無

·MAX值:600 %

·單位:%

·測試條件:If=5mA,Vce-5V

傳輸特性(TRANSFER CHARACTERISTICS)相關(guān)參數(shù)

·集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(Collector-Emitter Saturation Voltage)

·符號:Vce

·最小值:無

·典型值:0.1 V

·MAX值:0.2 V

·單位:V

·測試條件:If=20mA,Ic-1mA

·隔離電阻(Isolation Resistance)

·符號:Riso

·最小值:Ω

·典型值:Ω

·MAX值:無

·單位:Ω

·測試條件:DC500V, 40 - 60% R.H.

(以上參數(shù)基于晶體管LTV-816-Cu series特性參數(shù))

·三極管管型光耦

·可控硅光耦

·繼電器光耦

2、二極管類測試

·二極管類:二極管

·Diode

·Kelvin ,Vrrm ,Irrm ,Vf ,△Vf ,△Vrrm ,Tr(選配);

二極管類:穩(wěn)壓二極管

·ZD(Zener Diode)

·Kelvin ,Vz ,lr ,Vf ,△Vf ,△Vz ;

二極管類:穩(wěn)壓二極管

·ZD(Zener Diode)

·Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz;

二極管類:三端肖特基二極管 SBD(SchottkyBarrierDiode)

·Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm;

二極管類: 瞬態(tài)二極管

·TVS

·Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm ;

二極管類:整流橋堆

·Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm;

二極管類:三相整流橋堆

·Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm;

3、壓敏電阻測試

·Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm 、 △Vr ;(參數(shù)配置精度與二極管一致)

4、鋰亞電池測試

·Kelvin(0~150mV)

·電池空載電壓(Vbt) 0-100V +-0.2%

·負(fù)載電壓(Vbt_load ) 0-100V +-0.5% 測試電流(0-10A 恒流 )

·負(fù)載電壓變化值(▲Vbt_load)0-10v +-5% 測試電流(0-10A 恒流 )

·電池內(nèi)阻(Vbt Res) 0-10v +-5% 測試電流(0-10A 脈沖 )

5、晶振測試

·震蕩頻率(Freq_osc )

·諧振電阻(Ri)

·頻率精度(Freq_ppm)

·測試頻率范圍(10kHz~10MHz)

測試參數(shù)符號量程測試范圍測試條件測量精度
震蕩頻率Fosc10kHz~100kHz 100kHz~1MHz 1MHz~5MHz 5MHz~10MHz10kHz~10MHz 0.1Hz
諧振電阻Rz0~100K  ±10%
頻率精度ppm 0-1000 0.01%

三、參數(shù)配置與性能指標(biāo)

1.電流/電壓源 VIS自帶VI測量單元

1)加壓(FV)

量程分辨率精度
±40V19.5mV± 1%設(shè)定值+FullRange0.1%± 19.5mV
±20V10mV±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10mV
±10V5mV±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±5mV
±5V2mV±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mV
±2V1mV±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mV

2)加流(FI):

量程分辨率精度
±100A195mA±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±100mA
±40A19.5mA±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±30mA
±4A1.95mA±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mA
±400mA119.5uA±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200uA
±40mA11.95uA±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20uA
±4mA195nA±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200nA
±400uA19.5nA±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20nA
±40uA1.95nA±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2nA

說明:電流大于1.5A自動轉(zhuǎn)為脈沖方式輸出,脈寬范圍:300us-1000us可調(diào)

3). 電流測量(MI)

量程分辨率精度
±100A12.2mA±5% 讀數(shù)值+FullRange0.2%±100mA
±40A1.22mA±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mA
±4A122uA±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mA
±400mA12.2uA±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uA
±40mA1.22uA±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uA
±4mA122nA±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2uA
±400uA12.2nA±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200nA
±40uA1.22nA±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20nA

4). 電壓測量(MV)

量程分辨率精度
±40V1.22mV±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mV
±20V122uV±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mV
±10V12.2uV±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uV
±5V1.22uV±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uV

2. 數(shù)據(jù)采集部分 VM (16位ADC,100K/S采樣速率)

1). 電壓測量(MV)

量程分辨率精度
±2000V1.22mV±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mV
±100V122uV±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mV
±10V12.2uV±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uV
±1V1.22uV±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uV

2). 漏電流測量(MI)

量程分辨率精度
±100mA30uA±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±30uA
±10mA3uA±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±3uA
±1mA300nA±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±300nA
±100uA30nA±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±30nA
±10uA3nA±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±10nA
±1uA300pA±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±10nA
±100nA30pA±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±5nA

3

. 高壓源 HVS(基本)16位DAC

1).加壓(FV)

量程分辨率精度
2000V/10mA30.5mV±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV
200V/10mA30.5mV±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV
40V/50mA30.5mV±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV
   

2).加流(FI):

量程分辨率精度
10mA4.88uA±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10uA
2mA488nA±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2uA
200uA48.8nA±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200nA
20uA4.88nA±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20nA
2uA488pA±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10nA

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