上海伯東磁控濺鍍設(shè)備 FPD-PVD

磁控濺射鍍膜鍍膜機

型號： FPD-PVD

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

產(chǎn)地中國臺灣

--- 產(chǎn)品詳情 ---

因產(chǎn)品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準
磁控濺鍍設(shè)備 FPD-PVD
隨著 LCD 面板和制造所需玻璃的尺寸的增加, 制造設(shè)備也隨著變得更大, 需要越來越大的設(shè)備投資. 上海伯東代理磁控濺鍍設(shè)備 FPD-PVD 針對中小尺寸的需求開發(fā)串集的 PVD 設(shè)備, 擁有 4個單獨的濺鍍腔體, 讓客戶能任意搭配沉積的材料, 同時保有彈性和具有選擇性的系統(tǒng).

配置和優(yōu)點
客制化基板尺寸最大為 550 x 650 mm2(玻璃)
薄膜均勻度小于±5％
穩(wěn)定的溫度控制, 可將基板加熱到 400°C

選件
Cassette 傳送站
基材電漿清潔
OES, RGA 或制程監(jiān)控的額外備用端口

應(yīng)用領(lǐng)域
TFT-LCD
太陽能電池
觸碰屏氧化物, 氮化物和金屬材料的研究

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Si3?N4 氮化硅鍍膜系統(tǒng). 在某次維護之后, 抽真空時只能達到 80 mbar 的壓力. 為了在如此高的工作壓力之下依然能夠進行檢漏, 推薦選用上海伯東氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340. ASM 340 檢漏儀特有的定性大漏檢測模式 ( 在 100 hPa 即可進行大漏測試 ) , 借助此模式即可定位存在的漏點.

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50V GaN HMET 芯片采用上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放盒進行包裝, Gel-Pak 采用了無殘膠的膜技術(shù), 可以將芯片牢固地固定住, 避免在運輸和儲存過程中因為碰撞等造成芯片的損害.

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inTEST熱流儀邏輯芯片 FPGA高低溫沖擊測試2023-08-07 14:21

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上海伯東分子泵應(yīng)用于 LED 芯片退火合金爐2023-08-07 14:14

LED 芯片退火合金爐屬于真空爐的一種, 需要在真空環(huán)境下實現(xiàn) LED 芯片的退火, 合金, 濕氧氧化, 歐姆電極燒結(jié)等工藝. 腔體真空度一般在 10-3 至 10-6 hPa 之間, 上海伯東德國 Pfeiffer 分子泵憑借大抽速,高穩(wěn)定性廣泛應(yīng)用于退火合金爐設(shè)備.

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刻蝕是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一, 上海伯東日本 Atonarp Aston 質(zhì)譜儀適用于等離子體刻蝕過程及終點監(jiān)測 (干法刻蝕終點檢測), 通過持續(xù)監(jiān)控腔室工藝化學(xué)氣體, 確保半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)的高產(chǎn)量和最大吞吐量.

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Aston 質(zhì)譜分析儀搭配 Scrubber 半導(dǎo)體尾氣處理設(shè)備進行氣體檢測2024-10-18 13:24

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上海伯東美國 KRi 大尺寸考夫曼離子源 KDC 160 適用于 2-4英寸的硅片刻蝕和清潔應(yīng)用, KRi KDC 160 是直流柵網(wǎng)離子源, 高輸出離子束電流超過 1000mA. 高功率光束無需對離子源進行水冷卻即可實現(xiàn). KDC 160 配備了雙燈絲. 在標準配置下, KDC 160 典型離子能量范圍為 100 至 1200eV, 離子電流可超過 800mA.

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IGBT 新能源汽車測試
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伯東企業(yè)（上海）有限公司

上海伯東磁控濺鍍設(shè)備 FPD-PVD

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伯東企業(yè)（上海）有限公司

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