刻蝕是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一, 上海伯東日本 Atonarp Aston 質(zhì)譜儀適用于等離子體刻蝕過(guò)程及終點(diǎn)監(jiān)測(cè) (干法刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)), 通過(guò)持續(xù)監(jiān)控腔室工藝化學(xué)氣體, 確保半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)的高產(chǎn)量和最大吞吐量.

Aston 質(zhì)譜儀干法刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)整體解決方案
連續(xù)蝕刻工藝金屬, 如鋁 Al, 鎢 W, 銅 Cu, 鈦 Ti 和氮化鈦 TiN 會(huì)形成非揮發(fā)性金屬鹵化物副產(chǎn)物, 例如六氯化鎢 WCl6 重新沉積在蝕刻的側(cè)壁上, 因顆粒污染或沉積材料導(dǎo)致電氣短路, 從而導(dǎo)致產(chǎn)量降低.

上海伯東 Aston 質(zhì)譜儀提供包括腔室和過(guò)程, 例如指紋識(shí)別, 腔室清潔, 過(guò)程監(jiān)控, 包括有腐蝕性氣體存在時(shí), 顆粒沉積和氣體污染物凝結(jié).

Aston 質(zhì)譜分析儀與腔室連接

Aston 質(zhì)譜分析儀等離子刻蝕腔體監(jiān)測(cè)

Aston 質(zhì)譜分析儀CVD清洗終點(diǎn)優(yōu)化

Aston 質(zhì)譜分析儀小開(kāi)口區(qū)域刻蝕

Aston 質(zhì)譜儀干法刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)優(yōu)勢(shì)
高性能, 嵌入式和可靠的原位計(jì)量分子氣體計(jì)量
完整的腔室解決方案, 在不同工藝步驟中對(duì)前體, 反應(yīng)物和副產(chǎn)物進(jìn)行時(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)
批量生產(chǎn)過(guò)程的控制
高靈敏度, Aston? 質(zhì)譜儀的 OA% 靈敏度顯示為 <0.25%, 其檢測(cè)限比 OES （LOD 約 2.5%）高出一個(gè)數(shù)量級(jí).

Aston 質(zhì)譜儀技術(shù)參數(shù)

為了確保一致和優(yōu)化的接觸蝕刻, 需要高靈敏度的原位分子診斷來(lái)提供蝕刻副產(chǎn)物的實(shí)時(shí)測(cè)量和量化, 并能夠檢測(cè)到明確定義的終點(diǎn). 隨著接觸開(kāi)口面積 OA% 的減少, 諸如光學(xué)發(fā)射光譜 OES 等傳統(tǒng)計(jì)量解決方案缺乏準(zhǔn)確檢測(cè)蝕刻終點(diǎn)的靈敏度（低信噪比 SNR 比）. 上海伯東 Aston? 質(zhì)譜儀的 OA% 靈敏度顯示為 <0.25%, 其檢測(cè)限比 OES （LOD 約 2.5%）高出一個(gè)數(shù)量級(jí). 此外,?Aston? 質(zhì)譜儀內(nèi)部產(chǎn)生的基于等離子體的電離源允許它在存在腐蝕性蝕刻氣體的情況下工作, 無(wú)論處理室中是否存在等離子體源.

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