隨著基于鈮酸鋰 LN 的光源, 光調(diào)制, 光探測等重要器件的實(shí)現(xiàn), 鈮酸鋰 LN 光子集成芯片有望像硅基集成電路一樣, 成為高速率, 高容量, 低能耗光學(xué)信息處理的重要平臺(tái), LiNbO3 薄膜刻蝕成特定的圖形才能用于芯片, 因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工藝無法完成刻蝕, 上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī)為鈮酸鋰 LiNbO3 薄膜刻蝕提供解決方案

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī)針對鈮酸鋰 LiNbO3 薄膜刻蝕優(yōu)勢
1. 滿足刻蝕的線條寬度要求
2. 滿足刻蝕準(zhǔn)直度要求
3. 可以實(shí)現(xiàn) ICP 和 RIE 無法進(jìn)行的刻蝕

上海伯東日本原裝設(shè)計(jì)制造離子束刻蝕機(jī)IBE 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 納米級(jí)別材料的表面刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5% (部分材料 3%). 幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 廣泛應(yīng)用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件 …, 滿足研發(fā)和量產(chǎn)需要.

上海伯東離子束刻蝕機(jī) IBE 特點(diǎn) 1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級(jí)別的刻蝕精度 2. 離子束角度可以±90°任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀 3. 行星旋轉(zhuǎn)載臺(tái), 優(yōu)異的刻蝕均勻性, 刻蝕均勻性 ≤±5% (部分材料 3%), 4. 直接冷卻載臺(tái), 循環(huán)水冷, 晶圓載臺(tái)冷卻性能優(yōu)異 5. 間接冷卻載臺(tái), 間接冷卻設(shè)計(jì)的干式吸盤載臺(tái)易于設(shè)計(jì)載臺(tái)尺寸和數(shù)量 6. 設(shè)計(jì)靈活, 系統(tǒng)設(shè)計(jì)上盡可能滿足客戶的具體要求, 提供定制的離子束刻蝕機(jī) 7. 真空系統(tǒng)可選德國 Pfeiffer 分子泵和旋片泵 8. 干式載臺(tái)設(shè)計(jì), 摻入金屬粉末的干式橡膠卡盤確保了良好的導(dǎo)熱性和晶圓附著穩(wěn)定性

自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計(jì)交付約 500套離子刻蝕機(jī). 刻蝕機(jī)配置德國Pfeiffer渦輪分子泵. 伯東公司超過 50年的離子束刻蝕市場經(jīng)驗(yàn), 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過市場驗(yàn)證的刻蝕技術(shù)!


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