說起開關(guān)電源，可謂電子信息社會不可或缺的電源方式之一：小到手機(jī)充電器、LED照明燈、家電，大到電力設(shè)備、通信基站、數(shù)據(jù)中心，幾乎所有的電子設(shè)備都離不開它。對于電源工程師而言，功率密度、效率和可靠性是定義開關(guān)電源性能的3個關(guān)鍵因素。如何一次 “加滿”開關(guān)電源的技能點(diǎn)呢？2020英飛凌電源與傳感系統(tǒng)云端大會，邀你體驗(yàn)一場硬核的開關(guān)電源技術(shù)公開課！ 高性能開關(guān)電源設(shè)計(jì)訣竅 英飛凌是目前 市場上唯一一家提供覆蓋Si、SiC和GaN等材料的全系列功率產(chǎn)品的公司 ，英飛凌廣博的CoolGaN?、CoolSiC? 和 CoolMOS? 等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，適用于各類大、小功率的開關(guān)電源應(yīng)用。 想知道Si、SiC和GaN這三類功率器件的相關(guān)技術(shù)詳細(xì)信息，以及如何基于器件自身的特性來選擇合適的應(yīng)用拓?fù)?？在確定拓?fù)渲?，如何?shí)現(xiàn)功率密度和效率之前的優(yōu)化？這些硬核的技術(shù)知識統(tǒng)統(tǒng)都有！此外，英飛凌資深專家還將介紹英飛凌對于CoolGaN? 和CoolSiC?的質(zhì)量管控理念，從而助力使用者設(shè)計(jì)高可靠性的開關(guān)電源。 值得一提的是， GaN HEMT作為大規(guī)模商用的“新”產(chǎn)品，僅僅是其技術(shù)藍(lán)圖的開端 ，因?yàn)楫?dāng)前的器件性能數(shù)值與理論限值還有一個數(shù)量級的差距，未來仍有巨大的改進(jìn)空間。目前，GaN HEMT在小功率、高功率密度的充電器應(yīng)用已嶄露頭角，其市場需求呈現(xiàn)明顯的上升趨勢。但整體而言，GaN HEMT與超級結(jié)MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)對比，可謂各占一半。筒子們想進(jìn)一步了解在細(xì)分市場這兩者的區(qū)別，關(guān)注2020英飛凌電源與傳感系統(tǒng)云端大會，為你的開關(guān)電源設(shè)計(jì)找到創(chuàng)新思路！ 細(xì)分市場對更高功率密度的需求呈明顯上升趨勢 一次get到零電壓開通高效反激拓?fù)潆娫丛O(shè)計(jì) 手機(jī)快充在近幾年的發(fā)展勢頭十分迅猛，從早期的10W、15W，到最近一些大廠宣布量產(chǎn)的120W快充，高功率快充技術(shù)儼然成為了5G手機(jī)的標(biāo)配。盡管各家手機(jī)廠商的協(xié)議不一，但USB-PD協(xié)議快充仍是普遍兼容、且持續(xù)升級迭代的標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)IHS的預(yù)測，USB-PD協(xié)議充電器從2018-2023年復(fù)合平均增長率為97.6%，且預(yù)計(jì) 在2023年USB-PD出貨量將占整個市場的52%以上。 目前， 快充電源廣泛使用反激拓?fù)?，主要是因?yàn)樗哂辛己玫膶捿斎肱c寬輸出性能，能夠提高反激電源功率密度與效率。如何實(shí)現(xiàn)高功率密度的USB-PD電源？需要從以下幾個方面考量：? 高頻（140k-250kHz，近兩三年最佳工作頻率） 軟開關(guān)拓?fù)? 平面變壓器 可調(diào)整的平率法則 ?較小的共模EMI噪聲