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采用實(shí)時(shí)電阻測(cè)量方法實(shí)現(xiàn)了金屬鎳誘導(dǎo)晶化制備多晶硅薄膜的實(shí)時(shí)監(jiān)控， 實(shí)驗(yàn)中使用了兩種樣品，一種采用電場(chǎng)增強(qiáng)側(cè)向晶化；另一種采用金屬誘導(dǎo)側(cè)向晶化。 結(jié)果表明薄膜電阻值在高溫下隨晶化時(shí)間呈指數(shù)衰減，且具有很強(qiáng)的溫度依賴關(guān)系。采用晶粒邊界勢(shì)壘模型解釋了阻值衰減行為， 分析計(jì)算了兩種樣品的阻值衰減規(guī)律。 電場(chǎng)增強(qiáng)方式的時(shí)間常數(shù)比非電場(chǎng)增強(qiáng)方式小，表明加電場(chǎng)有促進(jìn)晶化的作用。實(shí)時(shí)電阻測(cè)量方法可以用于金屬誘導(dǎo)晶化動(dòng)力學(xué)的研究，是一種簡(jiǎn)單實(shí)用的實(shí)時(shí)監(jiān)控手段。
電阻測(cè)量
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