一般來說，GaN 的成長須要很高的溫度來打斷NH3 之N-H 的鍵解，另外一方面由動力學(xué)仿真也得知NH3 和MO Gas 會進(jìn)行反應(yīng)產(chǎn)生沒有揮發(fā)性的副產(chǎn)物。

　　LED 外延片工藝流程如下：

　　襯底 - 結(jié)構(gòu)設(shè)計- 緩沖層生長- N型GaN 層生長- 多量子阱發(fā)光層生- P 型GaN 層生長- 退火- 檢測（光熒光、X 射線） - 外延片；

　　外延片- 設(shè)計、加工掩模版- 光刻- 離子刻蝕- N 型電極（鍍膜、退火、刻蝕） - P 型電極（鍍膜、退火、刻蝕） - 劃片- 芯片分檢、分級

　　具體介紹如下：

　　固定：將單晶硅棒固定在加工臺上。

　　切片：將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄硅片。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。

　　退火：雙工位熱氧化爐經(jīng)氮?dú)獯祾吆?，?a href='http://m.sdkjxy.cn/tags/紅外/' target='_blank' class='arckwlink_none'>紅外加熱至300~500℃，硅片表面和氧氣發(fā)生反應(yīng)，使硅片表面形成二氧化硅保護(hù)層。

　　倒角：將退火的硅片進(jìn)行修整成圓弧形，防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。

　　分檔檢測：為保證硅片的規(guī)格和質(zhì)量，對其進(jìn)行檢測。此處會產(chǎn)生廢品。

　　研磨：用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個拋光過程可以處理的規(guī)格。此過程產(chǎn)生廢磨片劑。

　　清洗：通過有機(jī)溶劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)去除硅片表面的有機(jī)雜質(zhì)。此工序產(chǎn)生有機(jī)廢氣和廢有機(jī)溶劑。

　　RCA清洗：通過多道清洗去除硅片表面的顆粒物質(zhì)和金屬離子。

　　具體工藝流程如下：

　　SPM 清洗：用H2SO4 溶液和H2O2 溶液按比例配成SPM 溶液，SPM 溶液具有很強(qiáng)的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液，并將有機(jī)污染物氧化成CO2 和H2O。用SPM 清洗硅片可去除硅片表面的有機(jī)污物和部分金屬。此工序會產(chǎn)生硫酸霧和廢硫酸。