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本應(yīng)用說(shuō)明描述了過(guò)電沖擊 （EOS） 事件，它們對(duì) Cree XLamp LED 的影響，以及一些保護(hù) XLamp LED，使其不受 EOS 損壞的簡(jiǎn)單方法。簡(jiǎn)單而言，過(guò)電沖擊就是 LED 上施加的電流超過(guò)該 LED 技術(shù)數(shù)據(jù)表中規(guī)定的最大電流。這與 EOS 事件的次數(shù)或持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)短無(wú)關(guān)，因?yàn)槿魏我淮?EOS 事件都可能導(dǎo)致 LED 損壞。這種損壞可以表現(xiàn)為器件立即失效，也可能在發(fā)生 EOS 事件后許久后才失效。
本應(yīng)用說(shuō)明假設(shè)電源或其它保護(hù)系統(tǒng)中已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了主保護(hù)電路，以防雷擊、電涌、功率串?dāng)_等引起的損壞，并著重介紹了二次保護(hù)電路如何在實(shí)踐中保護(hù) LED 不受常見(jiàn) EOS 事件的損壞。請(qǐng)注意本文檔不能作為關(guān)于二次保護(hù)電路的完整指導(dǎo)。
焊接線損壞
因 EOS 而導(dǎo)致的其中一種常見(jiàn)失效模式是 LED 封裝內(nèi)部的焊接線受損，如下圖 1 所示。這種損壞通常表現(xiàn)為接線燒毀或燒斷。此外，EOS 事件還能導(dǎo)致靠近焊接線的其它材料損壞，例如密封材料或熒光體。
焊盤附近損壞
因 EOS 而導(dǎo)致的另一種常見(jiàn)失效模式是 LED 芯片本體靠近焊盤的位置受損，如下圖 2 所示。
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