資料介紹
人們解決半導體可靠性問題的努力在某種程度上遵從一種可預測周期,就像摩爾定律預測集成電路尺寸縮減的規(guī)律一樣。例如,在業(yè)界采用VLSI工藝之后,引入了鋁互連工藝以滿足電路速度的要求。然后我們很快就發(fā)現(xiàn)了諸如電遷移等可靠性問題。在發(fā)現(xiàn)這些問題之后,我們不得不通過實驗工作對電路性能下降的機理進行建模。在建立有關(guān)模型之后,工藝工程師又要采取措施優(yōu)化新工藝的可靠性。隨著技術(shù)的成熟,人們的研究重點又轉(zhuǎn)向如何減少缺陷。隨著ULSI工藝的引進,對新材料(例如應變硅、銅和低k互連介質(zhì))的可靠性研究又再次重復這一周期。

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