物聯(lián)網應用若要全面普及，勢必需要在人類生活環(huán)境中部署大規(guī)模傳感器等基礎設施，這些設備若能擁有愈長的電池續(xù)航力當屬愈好，一來可節(jié)省維護成本、二來有助提高物聯(lián)網基礎設施可持續(xù)性。

　　現(xiàn)階段業(yè)界也在尋找可大幅降低物聯(lián)網設備能源消耗的辦法，為此業(yè)界發(fā)現(xiàn)物聯(lián)網芯片中內嵌“可變電阻式內存”（ReRAM），有助達成此一節(jié)能目標。

　　據Embedded Computing Design網站報導，若要達到物聯(lián)網應用的能源采用要求，需要導入各式節(jié)能策略，即使多數(shù)物聯(lián)網設備設計成可休眠或待命的模式，但再怎么說物聯(lián)網設備仍有一定比例時間在運作，因此如何節(jié)能仍是一大技術重點。

　　其中嵌入式內存在協(xié)助物聯(lián)網芯片節(jié)能上便扮演要角，因具備低功耗及低電壓操作、單體IC、快速讀寫時間、非揮發(fā)性以及高容量等有助提升物聯(lián)網設備能源效率的優(yōu)勢。

　　什么是ReRAM

　　ReRAM不同于傳統(tǒng)Flash內存技術，ReRAM內存是以字節(jié)進行尋址，能以小型頁（page）進行建構，因此ReRAM能夠獨立抹除及再寫入，能夠大幅簡化儲存控制器的復雜性。

　　ReRAM儲存單元通常在兩個金屬電極之間部署一個切換材料，當施加電壓時該材料能夠顯現(xiàn)出不同的阻力特性，該切換材料及內存儲存單元如何進行組構，就成為決定ReRAM節(jié)電性的關鍵。該切換材料為燈絲奈米粒子（Filamentary nanoparticle），以及不具導電性的非晶硅（a-Si）這類簡易CMOS兼容性材料。

　　例如Crossbar ReRAM技術，是基于采用對CMOS友善的材料及標準CMOS制程的簡易兩個終端設備結構所開發(fā)，能夠輕易與CMOS邏輯電路進行整合，且能夠以現(xiàn)有CMOS廠房生產，無需采特殊的設備或材料。