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發(fā)視頻PC5200 700V_10A GaN HEMT驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
2026-03-16 |
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資料介紹
PC5200 是一種增強(qiáng)型硅基氮化鎵（GaN-on-Silicon）晶體管。氮化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體，具有高功率密度。氮化鎵晶體管的特點(diǎn)是沒有體二極管，因此反向恢復(fù)電荷為零。這種氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）是一種高性能增強(qiáng)型氮化鎵高電子遷移率晶體管，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的高頻和高效率運(yùn)行。該氮化鎵功率高電子遷移率晶體管結(jié)合了最高的 dv/dt 免疫性和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的低輪廓、低電感、底部冷卻表面貼裝 DFN5x6/DFN8X8 封裝，使設(shè)計(jì)師能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單、快速且可靠的解決方案。
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