資料介紹
開發(fā)的SiC功率模組的特點(diǎn)
1.高耐熱接合技術(shù)(480℃耐熱)
2.采用高耐熱封裝(300℃耐熱)
3.SW高速化,封裝的寄生電感降低,可并行工作的模組Layout
4.通過8個(gè)并行驅(qū)動(dòng)可支持150A的工作電流
5.成功開發(fā)出高耐熱柵極驅(qū)動(dòng)器

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