晶體管開關(guān)電路（工作在飽和態(tài)）在現(xiàn)代電路設(shè)計應(yīng)用中屢見不鮮，經(jīng)典的74LS，74ALS等集成電路內(nèi)部都使用了晶體管開關(guān)電路，只是驅(qū)動能力一般而已。

　　TTL晶體管開關(guān)電路按驅(qū)動能力分為小信號開關(guān)電路和功率開關(guān)電路；按晶體管連接方式分為發(fā)射極接地（PNP晶體管發(fā)射極接電源）和射級跟隨開關(guān)電路。

　　發(fā)射極接地開關(guān)電路

　　1．1 NPN型和PNP型基本開關(guān)原理圖：

　　上面的基本電路離實際設(shè)計電路還有些距離：由于晶體管基極電荷存儲積累效應(yīng)使晶體管從導(dǎo)通到斷開有一個過渡過程（當晶體管斷開時，由于R1的存在，減慢了基極電荷的釋放，所以Ic不會馬上變?yōu)榱悖?。也就是說發(fā)射極接地型開關(guān)電路存在關(guān)斷時間，不能直接應(yīng)用于中高頻開關(guān)。

　　1．2 實用的NPN型和PNP型開關(guān)原理圖1（添加加速電容）

　　解釋：當晶體管突然導(dǎo)通（IN信號突然發(fā)生跳變），C1瞬間短路，為三極管快速提供基極電流，這樣加速了晶體管的導(dǎo)通。當晶體管突然關(guān)斷（IN信號突然發(fā)生跳變），C1也瞬間導(dǎo)通，為卸放基極電荷提供一條低阻通道，這樣加速了晶體管的關(guān)斷。C通常取值幾十到幾百皮法。電路中R2是為了保證沒有IN輸入高電平時三極管保持關(guān)斷狀態(tài)；R4是為了保證沒有IN輸入低電平時三極管保持關(guān)斷狀態(tài)。R1和R3是基極電流限流用。