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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>模擬數(shù)字>MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)電流分配不均問(wèn)題

      MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)電流分配不均問(wèn)題

      2010-12-28 | rar | 521 | 次下載 | 10積分

      資料介紹

      ?并聯(lián)應(yīng)用時(shí)MOSFET管會(huì)產(chǎn)生電流分配不勻的現(xiàn)象，為減小此問(wèn)題造成的不良影響，只能通過(guò)實(shí)驗(yàn)確定有關(guān)的電路參數(shù)。這里用數(shù)學(xué)方法詳細(xì)分析MOSFET管的特性參數(shù)和電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)和動(dòng)態(tài)漏極電流分配不勻的影響，推導(dǎo)出反映漏極電流分配不勻程度和對(duì)漏極電流上升速度影響程度的精確計(jì)算公式，為在實(shí)際工作中減小電流分配不勻的影響提供理論依據(jù)。
      Abstract:
      ?Parallel used MOSFET exists uneven distribution of the current phenomenon,in order to reduce the harmful in-fluence of uneven distribution,people only can determine the circuit parameters through experiments.The paper analyses the characteristic parameters of MOSFET and effects of circuit parameters on the static and dynamic drain current uneven distribution conditions with math ways in detail,derives precise formula which reflects the extent of malddistributed drain current and effects extent to drain current increasing speed，for reducing the actual work in the current impact of uneven distribution provides a theoretical basis.
      電流 MOSFET管
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